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MOSFET SQJ433EP-T1_GE3
型号
:
SQJ433EP-T1_GE3
品牌
:
VISHAY(威世)
封装
:
PPAKSO-8
批号
:
22+
标准包装
:
--
| 数量 | 单价 |
|---|---|
| 100+ | ￥0.59 |
| 200+ | ￥0.52 |
| 5000+ | ￥0.032 |
购买数量
：
x ￥0.59 = ￥59
库存
：
6000
预计发货日： 2025/05/01
规格参数
数据手册 PDF
规格参数
| 制造商 | Vishay |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | 是 |
| 技术 | Si |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | PowerPAK-SO-8-4 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 通道数量 | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Id-连续漏极电流 | 75 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 6.4 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 108 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| Pd-功率耗散 | 83 W |
| 通道模式 | Enhancement |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 商标名 | TrenchFET |
| 封装 | Cut Tape |
| 封装 | MouseReel |
| 封装 | Reel |
| 配置 | Single |
| 系列 | SQ |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 正向跨导 - 最小值 | 40 S |
| 下降时间 | 49 ns |
| 产品类型 | MOSFET |
| 上升时间 | 21 ns |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 子类别 | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间 | 79 ns |
| 典型接通延迟时间 | 17 ns |
| 单位重量 | 506.600 mg |
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