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MOSFET BSC030P03NS3 G
型号
:
BSC030P03NS3 G
品牌
:
Infineon(英飞凌)
封装
:
TDSON-8
批号
:
22+
标准包装
:
--
| 数量 | 单价 |
|---|---|
| 100+ | ￥1.36 |
| 200+ | ￥0.4 |
| 5000+ | ￥0.029 |
购买数量
：
x ￥1.36 = ￥136
库存
：
5000
预计发货日： 2025/03/30
规格参数
数据手册 PDF
规格参数
| 制造商 | Infineon |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | 是 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | TDSON-8 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 2.3 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 25 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3.1 V |
| Qg-栅极电荷 | 186 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| 配置 | Single |
| 通道模式 | Enhancement |
| 高度 | 1.27 mm |
| 长度 | 5.9 mm |
| 系列 | OptiMOS P3 |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| 宽度 | 5.15 mm |
| 正向跨导 - 最小值 | 47 S |
| 下降时间 | 33 ns |
| 湿度敏感性 | Yes |
| 上升时间 | 105 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 98 ns |
| 典型接通延迟时间 | 27 ns |
| 单位重量 | 100 mg |
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