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深圳市芯颖嘉业电子科技有限公司
图像仅供参考,请参阅产品规格书
场效应管
BSC190N12NS3GATMA1
型号
:
BSC190N12NS3GATMA1
品牌
:
Infineon(英飞凌)
封装
:
TDSON-8
批号
:
21+
标准包装
:
--
数量
单价
100+
¥0.96
200+
¥0.59
5000+
¥0.027
购买数量
:
x
¥0.96
=
¥96
库存
:
22843
预计发货日:
2025/03/30
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深圳市芯颖嘉业电子科技有限公司
所在地区
:
广东省
深圳市
手机
:
13693666758
QQ 咨询
:
芯颖嘉业
地址
:
新亚洲一期4A004A
规格参数
数据手册 PDF
规格参数
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
OptiMOS™
FET 类型
N 通道
漏源电压(Vdss)
120V
Vgs(最大值)
±20V
功率耗散(最大值)
69W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerTDFN
数据手册 PDF
BSC190N12NS3GATMA1数据手册PDF下载
BSC067N06LS3G
品牌:
INFINEON
封装:
QFN
¥0.1/PCS
BSC030P03NS3 G
品牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TDSON-8
¥0.029/PCS
BSC190N12NS3GATMA1
品牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TDSON-8
¥0.027/PCS
IRF9640STRLPBF
品牌:
VISHAY(威世)
封装:
TO-263
¥0.039/PCS
SQJ431EP-T1_GE3
品牌:
VISHAY(威世)
封装:
PPAKSO-8L
¥0.035/PCS
SQJ433EP-T1_GE3
品牌:
VISHAY(威世)
封装:
PPAKSO-8
¥0.032/PCS