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场效应管 BSC190N12NS3GATMA1
型号
:
BSC190N12NS3GATMA1
品牌
:
Infineon(英飞凌)
封装
:
TDSON-8
批号
:
21+
标准包装
:
--
数量 单价
100+ ¥0.96
200+ ¥0.59
5000+ ¥0.027
购买数量
x ¥0.96 = ¥96
库存
22843
预计发货日: 2025/03/30

深圳市芯颖嘉业电子科技有限公司

所在地区
广东省 深圳市
手机

13693666758

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地址
新亚洲一期4A004A

规格参数

数据手册 PDF

规格参数

类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 OptiMOS™
FET 类型 N 通道
漏源电压(Vdss) 120V
Vgs(最大值) ±20V
功率耗散(最大值) 69W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerTDFN
品牌:
INFINEON
封装:
QFN
¥0.1/PCS
品牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TDSON-8
¥0.029/PCS
品牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TDSON-8
¥0.027/PCS
品牌:
VISHAY(威世)
封装:
TO-263
¥0.039/PCS
品牌:
VISHAY(威世)
封装:
PPAKSO-8L
¥0.035/PCS
品牌:
VISHAY(威世)
封装:
PPAKSO-8
¥0.032/PCS