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MOSFET SQJ431EP-T1_GE3
型号
:
SQJ431EP-T1_GE3
品牌
:
VISHAY(威世)
封装
:
PPAKSO-8L
批号
:
22+
标准包装
:
--
| 数量 | 单价 |
|---|---|
| 100+ | ￥1.2 |
| 200+ | ￥0.42 |
| 5000+ | ￥0.035 |
购买数量
：
x ￥1.2 = ￥120
库存
：
8535
预计发货日： 2025/05/01
规格参数
数据手册 PDF
规格参数
| 制造商 | Vishay |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | 是 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | PowerPAK-SO-8L-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 213 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 71 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| Pd-功率耗散 | 83 W |
| 配置 | Single |
| 通道模式 | Enhancement |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 高度 | 1.04 mm |
| 长度 | 6.15 mm |
| 系列 | SQ |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| 宽度 | 5.13 mm |
| 正向跨导 - 最小值 | 16 S |
| 下降时间 | 10 ns |
| 上升时间 | 11 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 44 ns |
| 典型接通延迟时间 | 15 ns |
| 单位重量 | 506.600 mg |
数据手册 PDF
