会员年限
3年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
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1+ | ¥1 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | STMicroelectronics |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SOT-223-3 |
通道数量 | 1 Channel |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Id-连续漏极电流 | 400 mA |
Rds On-漏源导通电阻 | 8.5 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.25 V |
Qg-栅极电荷 | 7 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 3.3 W |
配置 | Single |
通道模式 | Enhancement |
高度 | 1.8 mm |
长度 | 6.5 mm |
系列 | STN1HNK60 |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
宽度 | 3.5 mm |
下降时间 | 25 ns |
上升时间 | 5 ns |
典型关闭延迟时间 | 19 ns |
典型接通延迟时间 | 6.5 ns |
单位重量 | 250 mg |