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场效应管 SI7119DN-T1-GE3
型号
:
SI7119DN-T1-GE3
品牌
:
VISHAY
封装
:
QFN
批号
:
21+
标准包装
:
3000/盘
| 数量 | 单价 |
|---|---|
| 1+ | ￥0.99 |
| 100+ | ￥0.88 |
| 500+ | ￥0.66 |
购买数量
：
x ￥0.99 = ￥0.99
库存
：
100000
预计发货日： 2025/04/26
规格参数
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商品详情
规格参数
| 制造商 | Vishay |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | 是 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | PowerPAK-1212-8 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 通道数量 | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Id-连续漏极电流 | 3.8 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1.05 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
| Qg-栅极电荷 | 16.2 nC |
| 最小工作温度 | - 50 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| Pd-功率耗散 | 52 W |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 高度 | 1.04 mm |
| 长度 | 3.3 mm |
| 系列 | SI7 |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| 宽度 | 3.3 mm |
| 正向跨导 - 最小值 | 4 S |
| 下降时间 | 12 ns |
| 上升时间 | 11 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 27 ns |
| 典型接通延迟时间 | 9 ns |
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