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MOSFET SI4435DDY-T1-GE3
型号
:
SI4435DDY-T1-GE3
品牌
:
VISHAY威世
封装
:
8-SOIC
批号
:
22+
标准包装
:
2500/盘
| 数量 | 单价 |
|---|---|
| 1+ | ￥6.45 |
| 100+ | ￥6.44 |
| 500+ | ￥6.43 |
购买数量
：
x ￥6.45 = ￥6.45
库存
：
100000
预计发货日： 2025/04/03
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
规格参数
| 制造商 | Vishay |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | 是 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SO-8 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Id-连续漏极电流 | 11.4 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 24 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1 V |
| Qg-栅极电荷 | 50 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| Pd-功率耗散 | 5 W |
| 配置 | Single |
| 通道模式 | Enhancement |
| 系列 | SI4 |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| 正向跨导 - 最小值 | 23 S |
| 下降时间 | 12 ns |
| 上升时间 | 8 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns |
| 单位重量 | 187 mg |
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