会员年限
4年
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真实性已核验
数量 | 单价 |
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1+ | ¥0.38 |
规格参数
商品详情
类别 | 分立半导体产品 |
产品族 | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
系列 | NexFET™ |
FET 类型 | N 通道 |
漏源电压(Vdss) | 30V |
Vgs(最大值) | ±10V |
功率耗散(最大值) | 16W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
特性
说明
这款采用 2mm × 2mm SON 封装的 30V、12.6mΩ NexFET™功率 MOSFET 的设计被用来降低功率转换中的损耗, 并优化 5V 栅极驱动器。 2mm x 2mm SON 针对封装尺寸提供了出色的散热性能。
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