会员年限
3年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
2500+ | ¥0.8 |
5000+ | ¥0.7 |
7500+ | ¥0.65 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
封装 | SOIC-8 |
批次 | 23+ |
REEL | 2500 |
安装风格 | SMD/SMT |
激励器数量 | 2 Driver |
输出端数量 | 2 Output |
输出电流 | 360 mA |
工作电源电流 | 270 uA |
电源电压-最小 | 10 V |
电源电压-最大 | 20 V |
上升时间 | 170 ns |
下降时间 | 90 ns |
最小工作温度 | - 40 C |
最大工作温度 | + 125 C |
特征
•为引导操作设计的浮动通道
完全运行至+60V
耐受负瞬态电压
dV/dt免疫
•栅极驱动电源范围为10至20V
•欠压锁定
•3.3V、5V和15V逻辑输入兼容
•两个信道的匹配传播延迟
•输出与输入(IR2101)同相或异相
带输入的相位(IR2102)
•也可提供无引线
描述
IR2101(S)/IR2102(S)为高压、高速
功率MOSFET和IGBT驱动器
高和低侧参考输出通道。专有HVIC和锁存免疫CMOS技术
实现加固的整体结构。逻辑
输入与标准CMOS或LSTTL兼容
输出,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计用于最小
驱动器交叉传导。浮动沟道可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT
工作电压高达600伏的高压侧配置。
深圳市勤思达科技有限公司
福田区华强北赛格科技园4栋中12楼A4-2L
朱先生15889758566