会员年限
4年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
50+ | ¥1.99 |
100+ | ¥1.66 |
500+ | ¥1.33 |
规格参数
数据手册 PDF
制造商 | onsemi |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SOIC-8 |
晶体管极性 | P-Channel |
通道数量 | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Id-连续漏极电流 | 6.6 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 19 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.5 V |
Qg-栅极电荷 | 55 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
下降时间 | 36 ns |
正向跨导 - 最小值 | 30 S |
高度 | 1.5 mm |
长度 | 5 mm |
上升时间 | 13 ns |
系列 | NTMS4177P |
晶体管类型 | Power MOSFET |
典型关闭延迟时间 | 18 ns |
典型接通延迟时间 | 4 mm |
宽度 | 74 mg |