南京芯科利电子科技有限公司
会员年限
4年
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主营产品：
IGBT模块 ，可控硅 ，二极管 ，整流桥 ，晶闸管 ，熔断器 ，MOS管 ，快恢复二极管 ，肖特基二极管
资质已核查
真实性已核验
图像仅供参考，请参阅产品规格书
可控硅/晶闸管 IXFN38N100Q2
型号
:
IXFN38N100Q2
品牌
:
IXYS艾赛斯
封装
:
SOT-227
批号
:
23+
标准包装
:
10/管
| 数量 | 单价 |
|---|---|
| 1+ | ￥160 |
购买数量
：
x ￥160 = ￥160
库存
：
9999
预计发货日： 2025/06/02
规格参数
商品详情
规格参数
| 制造商 | IXYS |
| 产品种类 | 分立半导体模块 |
| RoHS | 是 |
| Vgs - 栅极-源极电压 | - 30 V, + 30 V |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 系列 | IXFN38N100 |
| 配置 | Single |
| 高度 | 9.6 mm |
| 长度 | 38.23 mm |
| 宽度 | 25.42 mm |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 下降时间 | 15 ns |
| Id-连续漏极电流 | 38 A |
| Pd-功率耗散 | 890 W |
| Rds On-漏源导通电阻 | 250 mOhms |
| 上升时间 | 28 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 57 ns |
| 典型接通延迟时间 | 25 ns |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| 单位重量 | 30 g |
商品详情
