会员年限
5年
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真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
5000+ | ¥0.91 |
10000+ | ¥0.9 |
规格参数
商品详情
沟道类型 | N+P双沟道MOS管 |
漏源电压(Vdss) | 60V |
漏极电流(Id) | 30A |
漏源导通电阻(RDS On) | 24mΩ |
栅源电压(Vgs) | ±20V |
最大耗散功率 | 30000 |
工作温度范围 | -55 -150℃ |
应用领域 | 汽车电子,智能家电 |
环保认证 | RoHS 认证 |
封装类型 | DFN5×6 |
栅极电荷(Qg) | 25nC |
输入电容(Ciss) | 590pF |
友情提示:深圳市程华电子有限公司主营宽电压DC-DC恒流恒压IC芯片、中低压MOS管、二极管及可控硅,其中MOS管为自有品牌CH。我们为客户提供售前、售中、售后的全流程服务,产品型号丰富多样。为节省您的时间,建议产品选型前先与客服沟通。此外,部分产品支持免费提供样品,具体详情可向客服咨询。
概述
CH2460SN结合先进的N+P双沟道MOSFET技术与低电阻封装,实现极低的导通电阻RDS(ON)。它集成了一个 N 沟道 MOSFET 和一个 P 沟道 MOSFET。
CH2460SN漏极电压VDS1=60V;VDS2=-60V
CH2460SN漏极电流ID1=30A;ID2=-36A
CH2460SN导通电阻RDS(ON)1=24mΩ;RDS(ON)2=26mΩ
CH2460SN采用DNF5×6封装
CH2460SN工作稳定范围在-55℃~150℃
特性
◆ 先进的高单元密度沟槽技术
◆ 低导通电阻RDS(ON) ,降低传导损耗
◆ 低栅极电荷,实现快速开关
◆ 单封装双芯片
应用
◆ 笔记本电脑电源管理
◆ 无刷直流(BLDC)电机驱动器
规格书