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5年
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真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
1000+ | ¥0.21 |
2000+ | ¥0.2 |
规格参数
商品详情
沟道类型 | N沟道MOS管 |
漏源电压(Vdss) | 40V |
漏极电流(Id) | 20A |
漏源导通电阻(RDS On) | 16mΩ |
栅源电压(Vgs) | 20V |
栅极电荷(Qg) | 20nC |
工作温度范围 | -55~175℃ |
应用领域 | 家用电器 汽车电子 |
环保认证 | RoHS 认证 |
最大耗散功率(Pd(max)) | 30W |
阈值电压(VGS(th)) | 2.1V |
输入电容(Ciss) | 870pF |
友情提示:深圳市程华电子有限公司主营宽电压DC-DC恒流恒压IC芯片、中低压MOS管、二极管及可控硅,其中MOS管为自有品牌CH。我们为客户提供售前、售中、售后的全流程服务,产品型号丰富多样。为节省您的时间,建议产品选型前先与客服沟通。此外,部分产品支持免费提供样品,具体详情可向客服咨询。
概述
CH20N04A结合先进的N沟道MOSFET技术与低电阻封装,实现极低的导通电阻RDS(ON)。此器件适用于负载开关和电池保护应用。
CH20N04A漏极电压VDS=40V;漏极电流ID=20A
CH20N04A典型导通电阻RDS(ON)=16mΩ
CH20N04A采用SOT-89封装
CH20N04A工作稳定范围在-55℃~175℃
特性
◆ 先进的高单元密度沟槽技术
◆ 低导通电阻RDS(ON) ,降低传导损耗
◆ 低栅极电荷,实现快速开关
◆ 低热阻
应用
◆ 主板/显卡核心供电
◆ 开关电源二次侧同步整流
◆ 负载点(POL)应用
◆ 无刷直流(BLDC)电机驱动器
规格书