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场效应管 CSD18540Q5B
型号
:
CSD18540Q5B
品牌
:
TI/德州仪器
封装
:
TDSON-8
批号
:
20+
标准包装
:
--
| 数量 | 单价 |
|---|---|
| 10+ | ￥0.5 |
| 100+ | ￥0.4 |
| 1000+ | ￥0.2 |
购买数量
：
x ￥0.5 = ￥5
库存
：
54140
预计发货日： 2025/04/01
深圳市恒东兴科技有限公司
所在地区
：
广东省 深圳市
座机
：
0755-88608294 蔡小姐
0755-82704631 蔡先生
手机
：
13714467800
地址
：
广东省深圳市福田区华强电子世界3号楼2楼32C167
规格参数
商品详情
规格参数
| 制造商 | Texas Instruments |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | 是 |
| 技术 | Si |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | VSON-CLIP-8 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 2.2 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 41 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| Pd-功率耗散 | 188 W |
| 配置 | Single |
| 通道模式 | Enhancement |
| 商标名 | NexFET |
| 封装 | Cut Tape |
| 封装 | MouseReel |
| 封装 | Reel |
| 高度 | 1 mm |
| 长度 | 6 mm |
| 系列 | CSD18540Q5B |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel Power MOSFET |
| 宽度 | 5 mm |
| 商标 | Texas Instruments |
| 开发套件 | BOOSTXL-DRV8305EVM, DRV8704EVM |
| 下降时间 | 3 ns |
| 产品类型 | MOSFET |
| 上升时间 | 9 ns |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 子类别 | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 典型接通延迟时间 | 6 ns |
商品详情
