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场效应管 SI2314EDS-T1-GE3
型号
:
SI2314EDS-T1-GE3
品牌
:
VISHAY
封装
:
SOT-23
批号
:
1710
标准包装
:
--
| 数量 | 单价 |
|---|---|
| 3000+ | ￥0.65 |
购买数量
：
x ￥0.65 = ￥1950
库存
：
20000
预计发货日： 2025/04/19
规格参数
数据手册 PDF
规格参数
| 制造商 | Vishay |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | 是 |
| 技术 | Si |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | TO-236-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Id-连续漏极电流 | 3.77 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 33 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 12 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 0.95 V |
| Qg-栅极电荷 | 11 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| Pd-功率耗散 | 0.75 W |
| 配置 | Single |
| 通道模式 | Enhancement |
| 商标名 | TrenchFET |
| 封装 | Reel |
| 系列 | SI2 |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 正向跨导 - 最小值 | 40 S |
| 下降时间 | 5.9 us |
| 产品类型 | MOSFET |
| 上升时间 | 1.4 us |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 子类别 | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间 | 13.5 us |
| 典型接通延迟时间 | 0.53 us |
| 零件号别名 | SI2314EDS-GE3 |
| 单位重量 | 8 mg |
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