会员年限
5年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
100+ | ¥0.005 |
500+ | ¥0.004 |
1000+ | ¥0.003 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | Infineon |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | PG-TDSON-8 |
通道数量 | 1 Channel |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Id-连续漏极电流 | 80 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 5 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 1 V |
Qg-栅极电荷 | 26 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 50 W |
配置 | Single |
通道模式 | Enhancement |
高度 | 1.27 mm |
长度 | 5.9 mm |
系列 | OptiMOS 3 |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
宽度 | 5.15 mm |
正向跨导 - 最小值 | 38 S |
下降时间 | 3.6 ns |
上升时间 | 4 ns |
典型关闭延迟时间 | 21 ns |
典型接通延迟时间 | 5.2 ns |
单位重量 | 100 mg |