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数量 | 单价 |
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100+ | ¥0.8 |
1000+ | ¥0.5 |
10000+ | ¥0.3 |
规格参数
数据手册 PDF
制造商 | Diodes Incorporated |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SOT-323-3 |
通道数量 | 1 Channel |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Id-连续漏极电流 | 3.5 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 42 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | 12 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 400 mV |
Qg-栅极电荷 | 7.7 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 0.7 mW |
配置 | Single |
通道模式 | Enhancement |
下降时间 | 3.3 ns |
上升时间 | 4.9 ns |
典型关闭延迟时间 | 9.9 ns |
典型接通延迟时间 | 2 ns |
单位重量 | 6 mg |