会员年限
6年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
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1+ | ¥1 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | Infineon |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
技术 | Si |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Id-连续漏极电流 | 50 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
Qg-栅极电荷 | 156 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 175 C |
Pd-功率耗散 | 300 W |
配置 | Single |
通道模式 | Enhancement |
封装 | Tube |
高度 | 20.7 mm |
长度 | 15.87 mm |
正向跨导 - 最小值 | 27 S |
工厂包装数量 | 400 |
下降时间 | 48 ns |
产品类型 | MOSFET |
上升时间 | 60 ns |
典型关闭延迟时间 | 55 ns |
单位重量 | 38 g |
可售卖地 | 全国 |
仓库 | 深圳 |
优势代理 | 诠华科技 |