会员年限
6年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
50+ | ¥0.8 |
120+ | ¥0.4 |
300+ | ¥0.35 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | Infineon |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | PQFN-8 |
通道数量 | 1 Channel |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Id-连续漏极电流 | 90 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 6.3 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.8 V |
Qg-栅极电荷 | 31 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 54 W |
配置 | Single |
高度 | 0.83 mm |
长度 | 6 mm |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
宽度 | 5 mm |
正向跨导 - 最小值 | 72 S |
下降时间 | 8.5 ns |
上升时间 | 26 ns |
典型关闭延迟时间 | 14 ns |
典型接通延迟时间 | 13 ns |