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场效应管 FQPF10N65C
型号
:
FQPF10N65C
品牌
:
壹芯微
封装
:
TO-220F
批号
:
22+
标准包装
:
50/管
| 数量 | 单价 |
|---|---|
| 50+ | ￥1.4 |
| 1000+ | ￥1.2 |
购买数量
：
x ￥1.4 = ￥70
库存
：
58573400
预计发货日： 2025/06/05
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
规格参数
| 品牌 | 壹芯微 |
| 型号 | FQPF10N65C |
| 封装 | TO-220F |
| 批号 | 22+ |
| FET类型 | N沟道MOSFET |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 漏极电流(Id) | 10.0 A |
| 漏源导通电阻(RDS On) | 0.80 Ω |
| 栅源电压(Vgs) | ±30 V |
| 栅极电荷(Qg) | 19.4 nC |
| 反向恢复时间 | 425 ns |
| 最大耗散功率 | 50W |
| 配置类型 | Single |
| 工作温度范围 | -55℃ ~ +150℃ |
| 安装类型 | SMD/SMT |
| 应用领域 | 3C数码,医疗电子,物联网IoT,新能源,军工/航天,安防设备,家用电器,智能家居,广电教育,照明电子,测量仪器,可穿戴设备,汽车电子,网络通信 |
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