会员年限
6年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
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3000+ | ¥0.11 |
规格参数
商品详情
描述 | MOSFET P-CH 20V POWER33 |
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1(无限) |
原厂标准交货期 | 28 周 |
详细描述 | 表面贴装型-P-通道-20V-18A(Ta)-56A(Tc)-2.3W(Ta)-40W(Tc)-8-PQFN(3.3x3.3)-Power33 |
数据列表 | FDMC6686P; |
标准包装 | 3,000 |
包装 | 标准卷带 |
零件状态 | 有源 |
类别 | 分立半导体产品 |
产品族 | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
系列 | PowerTrench® |
其它名称 | FDMC6686PTR |
FET 类型 | P 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A(Ta),56A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.8V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4m옴 @ 18A, 4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 122nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | ±8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 13200pF @ 10V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 2.3W(Ta),40W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 8-PQFN(3.3x3.3),Power33 |
封装/外壳 | 8-PowerWDFN |