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深圳市芯宝科技有限公司

主营产品:
集成电路 TI ST ON NXP ADI ALTERA MICROCHI INFINEON 进口电子元器件

资质已核查

真实性已核验

图像仅供参考,请参阅产品规格书
场效应管 FDMC6686P
型号
:
FDMC6686P
品牌
:
ON
封装
:
PowerWDFN8
批号
:
21+
标准包装
:
3000/盘
数量 单价
3000+ ¥0.11
购买数量
x ¥0.11 = ¥330
库存
6000
预计发货日: 2025/04/05

深圳市芯宝科技有限公司

所在地区
广东省 深圳市
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地址
福田区华强北街道华航社区振兴路109号华康大院2栋409

规格参数

商品详情

规格参数

描述 MOSFET P-CH 20V POWER33
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限)
原厂标准交货期 28 周
详细描述 表面贴装型-P-通道-20V-18A(Ta)-56A(Tc)-2.3W(Ta)-40W(Tc)-8-PQFN(3.3x3.3)-Power33
数据列表 FDMC6686P;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
系列 PowerTrench®
其它名称 FDMC6686PTR
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 18A(Ta),56A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4m옴 @ 18A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 122nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 13200pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.3W(Ta),40W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
封装/外壳 8-PowerWDFN

商品详情

品牌:
NXP
封装:
QFN32
¥0.109996/PCS
品牌:
AD
封装:
QFN28
¥0.11/PCS
品牌:
ADI
封装:
SOP14
¥0.1/PCS
品牌:
ADI
封装:
TSSOP24
¥0.11/PCS
品牌:
TI
封装:
QFN48
¥0.01/PCS
品牌:
ON
封装:
PowerWDFN8
¥0.11/PCS