会员年限
2年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
10+ | ¥6 |
100+ | ¥5.8 |
3000+ | ¥5 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | Infineon |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | Through Hole |
封装 / 箱体 | TO-247-3 |
晶体管极性 | N-Channel |
通道数量 | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
Id-连续漏极电流 | 350 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 1.46 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.8 V |
Qg-栅极电荷 | 380 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 175 C |
Pd-功率耗散 | 520 W |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
高度 | 20.7 mm |
长度 | 15.87 mm |
晶体管类型 | 5.31 mm |
宽度 | IRFP4368PBF SP001556774 |