会员年限
2年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
1+ | ¥15 |
10+ | ¥14.5 |
1000+ | ¥14 |
规格参数
数据手册 PDF
制造商 | Infineon |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | TO-263-3 |
通道数量 | 1 Channel |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
Id-连续漏极电流 | 64 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 17.5 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
Qg-栅极电荷 | 89 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 175 C |
Pd-功率耗散 | 300 W |
配置 | Single |
通道模式 | Enhancement |
资格 | AEC-Q101 |
高度 | 4.4 mm |
长度 | 10 mm |
系列 | IPB64N25 |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
宽度 | 9.25 mm |
下降时间 | 12 ns |
上升时间 | 20 ns |
典型关闭延迟时间 | 45 ns |
典型接通延迟时间 | 18 ns |
单位重量 | 4 g |