会员年限
2年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
100+ | ¥20.0003 |
500+ | ¥15.0003 |
1000+ | ¥10.0003 |
规格参数
数据手册 PDF
制造商 | Diodes Incorporated |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | Through Hole |
封装 / 箱体 | TO-92-3 |
晶体管极性 | P-Channel |
通道数量 | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Id-连续漏极电流 | 280 mA |
Rds On-漏源导通电阻 | 5 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压 | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.5 V |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 700 mW |
通道模式 | Enhancement |
系列 | ZVP2106 |
配置 | Single |
下降时间 | 15 ns |
正向跨导 - 最小值 | 150 mS |
高度 | 4.01 mm |
长度 | 4.77 mm |
上升时间 | 15 ns |
晶体管类型 | FET |
典型关闭延迟时间 | 7 ns |
典型接通延迟时间 | 2.41 mm |
宽度 | 453.600 mg |