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数量 | 单价 |
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1+ | ¥600 |
规格参数
数据手册 PDF
制造商 | Infineon |
产品种类 | IGBT 模块 |
RoHS | 是 |
配置 | Dual |
集电极—射极饱和电压 | 2.45 V |
栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
Pd-功率耗散 | 3150 W |
封装 / 箱体 | 62 mm |
最小工作温度 | - 40 C |
最大工作温度 | + 125 C |
高度 | 36.5 mm |
长度 | 106.4 mm |
宽度 | 61.4 mm |
安装风格 | Chassis Mount |
栅极/发射极最大电压 | 20 V |
单位重量 | 340 g |