| 数量 | 单价 |
|---|---|
| 150+ | ￥0.9 |
| 1500+ | ￥0.8 |
| 2500+ | ￥0.6 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
规格参数
| 制造商 | Infineon |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | 是 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | TO-252-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Id-连续漏极电流 | 90 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 4.1 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 33 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| Pd-功率耗散 | 71 W |
| 配置 | Single |
| 通道模式 | Enhancement |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 高度 | 2.3 mm |
| 长度 | 6.5 mm |
| 系列 | OptiMOS-T2 |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 下降时间 | 11 ns |
| 上升时间 | 11 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 9 ns |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns |
| 单位重量 | 4 g |
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商品详情
制造商: Infineon 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TO-252-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 90 A Rds On-漏源导通电阻: 4.1 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V Qg-栅极电荷: 33 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 175 C Pd-功率耗散: 71 W 通道模式: Enhancement 资格: AEC-Q101 商标名: OptiMOS 系列: OptiMOS-T2 封装: Reel 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 商标: Infineon Technologies 配置: Single 下降时间: 11 ns 高度: 2.3 mm 长度: 6.5 mm 产品类型: MOSFET 上升时间: 11 ns 工厂包装数量: 2500 子类别: MOSFETs 晶体管类型: 1 N-Channel 典型关闭延迟时间: 9 ns 典型接通延迟时间: 10 ns 宽度: 6.22 mm 零件号别名: SP000646186 IPD9N4S44XT IPD90N04S404ATMA1 单位重量: 330 mg
