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MOSFET SI2301CDS-T1-GE3
型号
:
SI2301CDS-T1-GE3
品牌
:
VISHAY威世
封装
:
SOT-23
批号
:
21+
标准包装
:
3000/盘
| 数量 | 单价 |
|---|---|
| 1+ | ￥0.26 |
| 100+ | ￥0.259 |
| 500+ | ￥0.258 |
购买数量
：
x ￥0.26 = ￥0.26
库存
：
100000
预计发货日： 2025/05/22
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
规格参数
| 类别 | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 系列 | TrenchFET® |
| FET 类型 | P 通道 |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 功率耗散（最大值） | 860mW（Ta），1.6W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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