会员年限
6年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
3000+ | ¥2 |
规格参数
商品详情
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
系列 | HEXFET® |
包装 | 剪切带(CT) ,带卷(TR) |
零件状态 | 在售 |
FET类型 | P沟道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3A(Ta) |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V@250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 14nC@10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 510pF@25V |
栅源电压 Vgss | ±20V |
FET功能 | - |
功率耗散(最大值) | 1.25W(Ta) |
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) | 98毫欧@3A,10V |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装(SMT) |
供应商器件封装 | Micro3™/SOT-23 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |