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MOSFET IRFBE30PBF
型号
:
IRFBE30PBF
品牌
:
VISHAY
封装
:
TO-220
批号
:
23+
标准包装
:
50/管
| 数量 | 单价 |
|---|---|
| 1+ | ￥10 |
购买数量
：
x ￥10 = ￥10
库存
：
30000
预计发货日： 2025/03/27
规格参数
数据手册 PDF
规格参数
| 制造商 | Vishay |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | 是 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-220AB-3 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 通道数量 | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Id-连续漏极电流 | 4.1 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压 | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 78 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| 通道模式 | Enhancement |
| 系列 | IRFBE |
| 配置 | Single |
| 下降时间 | 30 ns |
| 高度 | 15.49 mm |
| 长度 | 10.41 mm |
| 上升时间 | 33 ns |
| 晶体管类型 | 82 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 典型接通延迟时间 | 4.7 mm |
| 宽度 | IRFBE30PBF-BE3 |
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