深圳市创芯联盈电子有限公司
会员年限
6年
深圳市创芯联盈电子有限公司
主营产品：
一级代理SIMCOM ，一级代理SEMITEL ，赛灵思/Xilinx ，ADI/亚德诺 ，TI/德州仪器 ，NXP/恩智浦 ，ST/意法半导体 ，REALTEK/瑞昱 ，ON/安森美 ，GENITOP/高通
资质已核查
真实性已核验
图像仅供参考，请参阅产品规格书
IRF7759L2TRPBF
型号
:
IRF7759L2TRPBF
品牌
:
INFINEON(英飞凌)
封装
:
SOT-23
批号
:
22+
标准包装
:
--
| 数量 | 单价 |
|---|---|
| 5+ | ￥1.05 |
| 50+ | ￥0.85 |
| 500+ | ￥0.75 |
购买数量
：
x ￥1.05 = ￥5.25
库存
：
17249
预计发货日： 2025/03/25
深圳市创芯联盈电子有限公司
所在地区
：
广东省 深圳市
座机
：
0755-83229829 卢小姐
手机
：
18811873148
地址
：
广东省深圳市福田区华能大厦中区2312-2313-2318室
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
规格参数
| 制造商 | Infineon |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | 是 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | DirectFET-L8 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 通道数量 | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Id-连续漏极电流 | 160 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1.8 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压 | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 200 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 下降时间 | 33 ns |
| 高度 | 0.74 mm |
| 长度 | 9.15 mm |
| 上升时间 | 87 ns |
| 晶体管类型 | 80 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 18 ns |
| 典型接通延迟时间 | 7.1 mm |
| 宽度 | IRF7759L2TRPBF SP001563710 |
数据手册 PDF
商品详情
