深圳市雅维特电子有限公司
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资质已核查
真实性已核验
图像仅供参考，请参阅产品规格书
场效应管 STN1HNK60
型号
:
STN1HNK60
品牌
:
ST
封装
:
SOT223
批号
:
20+
标准包装
:
4000/盘
| 数量 | 单价 |
|---|---|
| 1+ | ￥1.5 |
购买数量
：
x ￥1.5 = ￥1.5
库存
：
400000
预计发货日： 2025/05/26
规格参数
数据手册 PDF
规格参数
| 制造商 | STMicroelectronics |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | 是 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOT-223-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 400 mA |
| Rds On-漏源导通电阻 | 8.5 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.25 V |
| Qg-栅极电荷 | 7 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| Pd-功率耗散 | 3.3 W |
| 配置 | Single |
| 通道模式 | Enhancement |
| 高度 | 1.8 mm |
| 长度 | 6.5 mm |
| 系列 | STN1HNK60 |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 宽度 | 3.5 mm |
| 下降时间 | 25 ns |
| 上升时间 | 5 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
| 典型接通延迟时间 | 6.5 ns |
| 单位重量 | 250 mg |
数据手册 PDF
