上海意发电子科技有限公司
       上海意发电子科技有限公司是一家集代理、分销、直销为一体的电力电子半导体销售。
我公司专业销售代理国内外知名品牌电力电子半导体器件、变频器配件、铝电解电容和功率模块，熔断器；主要代理及经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、SIEMENS西门子、西门康Semikron，IXYS艾赛斯、Mitsubishi三凌、Fuji富士、SanRex三社、美国IR、NELL尼尔；yaskawa安川；英国西玛，西班牙CATELEC等公司生产的IGBT、IGCT、可控硅、整流桥、二极管、；日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法国罗兰（FERRAZ）、英国GOULD、美国BUSSMANN快速熔断器；日本日立、黑金刚NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；红宝石，epcos艾普科斯。
      在逆变焊机、不间断电源UPS、Inverter变频器、数控伺服、电动汽车、风力太阳能发电等领域与客户战略合作，全力支持国内电力电子工业发展！

英飞凌IGBT命名规则
-Simens／EUPECIGBT命名系统：
Simens／EUPECIGBT各型号中所指电流都是在Tc＝80℃时的标称，有些公司的IGBT是Tc＝25℃的标称，敬请广大用户注意！
BSM100GB120DN2K
BSM---带反并联续流二极管（F.W.D）的IGBT模块
BYM---二极管模块
100---Tc＝80℃时的额定电流
GA------单元模块
GB-------两单元模块（半桥模块）
GD----六单元模块
GT---三单元模块
GP--七单元模块（功率集成模块）
GAL-------斩波模块（斩波二极管靠近集电极）
GAR-------斩波模块（斩波二极管靠近发射极）
120----额定电压x10
DL------低饱和压降
DN2----高频型
DLC----带（EmCon）二极管的低饱和压降
BSM系列是原西门子IGBT模块的命名系统。西门子IGBT模块归入 EUPEC后，EUPEC标准系列IGBT模块仍沿用西门子型号编制系统。但EUPEC原侧重生产人功率或高压IGBT模块，即EUPEC IHM＆IHV 系列IGBT模块有其自身的命名系统，EUPEC以FF、FZ、FS、FP来命名。凡是EUPEC成为Infineon（英飞凌）100％子公司后，所有IGBT模块均按 EUPEC IGBT命名系统来命名.
二 Simens／EUPEC SCR 命名系统：
T930N18TMC
T--晶闸管
D--二极管
930---平均电流
0---标准陶瓷圆盘封装
1--大功率圆盘
4--厚19mm
6--厚35mm
7--厚08mm
8--厚14mm
9--厚26mm
3--光触发型
N--相控器件
F--居中门极型快速晶闸管
S--门极分布式快速晶闸管二极管
18--耐压x100
B---引线型
C----焊针型
E--平板式
T--圆盘式
M--关断时间（A、B、C、D等表示关断时间）
C----关断电压斜率（B、C、F等）
TT430N 22KOF
TT--双晶闸管结构
DD--双二极管结构
TD/DT---一个二极管＆一个晶闸管
430---平均电流
N--相控器件
F--居中门极型快速晶闸管
S---阴极交错式快速晶闸管
22---耐压x100
K---模块
O---关断时间
F----断电压斜率
FF400R12KE3
FZ---单元模块
FF--两单元模块（半桥模块）
FP--七单元模块（功率集成模块）
FD/DF---斩波模块
F4---四单元模块
FS--六单元模块
DD---二极管模块
400--Tc＝80℃时的额定电流
R-----逆导型
S---快速二极管
12--额定电压x100
KF----高频型（主要在大模块上使用）
KL--------低饱和压降（主要在大模块上使用）
KS-------短拖尾高频型
KE-------低饱和压降
KT--------低饱和压降高频型

英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门，于1999年独立，2000年上市。其中文名称为亿恒科技，2002年后更名为英飞凌科技。
总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司，为现代社会的三大科技挑战领域--高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。
Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。英飞凌的业务遍及全球，在美国加州苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。2018财年(截止 2018年9 月 30 日)，公司在全球市场的总营收为75.99亿欧元。
西门子半导体事业部作为英飞凌科技(中国)有限公司的前身于1995年正式进入中国市场。自1995年在无锡建立第一家企业以来， 英飞凌的业务取得非常迅速的增长，在中国拥有约2000名员工， 已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的产业链，并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内企业、高等院校开展了深入的合作。
2018年3月，英飞凌与上汽集团宣布成立合资企业，为中国充满活力的电动汽车市场制造功率模块。合资公司命名为"上汽英飞凌汽车功率半导体(上海)有限公司"，总部设在上海，生产基地位于英飞凌无锡工厂扩建项目内。
进入中国以来，英飞凌不断顺应客户与市场的需求，研发及生产一系列能够应用于本地市场的产品。英飞凌先进的半导体解决方案已广泛应用于各个领域，同时我们凭借雄厚的技术实力和全球领先的经验，与包括中兴、华为、方正、握奇等国内领先厂商展开深入合作，为中国电子行业的腾飞做出应有的贡献。
英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链。在研发方面，英飞凌在上海、西安建立了研发中心，利用国内的人才资源，参与全球的重点项目研究;在无锡的后道生产工厂，为中国及全球其他市场生产先进的芯片产品;2011年，英飞凌集成电路(北京)有限公司正式开业，并在亦庄开发区建立了专注于面向风电高铁等行业的IGBT模块的制造。英飞凌中国以北京、上海、深圳和香港为中心在国内建立了全面的销售网络。同时，我们在销售、产品代工、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。
2020年4月16日英飞凌宣布:已经完成总价值90亿欧元(合人民币693亿元)对Cypress赛普拉斯半导体公司的收购案，英飞凌成为全球十大半导体制造商之一。
西门子半导体事业部作为英飞凌科技(中国)有限公司的前身于1995年正式进入中国市场。自从1996年在无锡建立第一家企业以来，英飞凌的业务取得非常迅速的增长，在中国已经拥有8家公司和1700多名员工。2004年英飞凌在中国的销售额增加了30%，高于中国半导体行业的平均增长速度，在国内的排名由2002年的第七位上升至前四位，成为英飞凌亚太乃至全球业务发展的一个重要推动力。
进入中国以来，英飞凌不断顺应客户与市场的需求，研发及生产一系列能够应用于本地市场的产品。英飞凌先进的半导体解决方案已广泛应用于各个领域，同时我们凭借雄厚的技术实力和全球领先的经验，与包括联想、华为、方正、红丰、握奇等国内领先厂商展开深入合作，为中国电子行业的腾飞做出应有的贡献。
英飞凌在中国的协议投资额已逾10亿美元，建立了涵盖研发、生产、销售市场、技术支持等在内的完整的产业链。在研发方面，英飞凌在上海、西安建立了研发中心，利用国内的人才资源，参与全球的重点项目研究;在无锡、苏州的后道生产工厂，为中国及全球其他市场生产先进的芯片产品;并以北京、上海、深圳和香港为中心在国内建立了全面的销售网络。同时，我们在销售、产品代工、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作，与中芯国际等领先的电子代工企业进行生产制造方面的合作。到2007年，英飞凌计划将在华累计投资增加到12亿美元，员工成长到3000名。
公司秉承扎根中国的承诺，致力于和政府及科研机构携手开发行业标准，支持中国集成电路产业增强竞争力。公司与国内领先高校合作建立实验室，进行汽车电子、智能卡等方面的研发合作，现在进行的项目有上海同济大学汽车电子实验室、天津大学内燃机实验室等。公司每年专门拨出几十万元，在复旦大学、西安电子科技大学、同济大学等众多领先高校设立奖学金，培养优秀的技术和管理人才，并为其提供施展才华的广阔空间。
作为优秀的企业公民，英飞凌致力于回馈社会，协助中国实现可持续发展。公司积极开展资助贫困儿童入学的活动，一方面号召英飞凌在国内的员工捐款捐物，帮助贫困地区的儿童返回校园;另一方面派员工到贫困地区提供义务教学.