会员年限
4年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
1+ | ¥100 |
0512-57406365 王先生
15962682709
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | IXYS |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | Chassis Mount |
封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
通道数量 | 1 Channel |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Id-连续漏极电流 | 230 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 6.5 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 700 W |
配置 | Single |
通道模式 | Enhancement |
高度 | 9.6 mm |
长度 | 38.23 mm |
系列 | HiPerFET |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
宽度 | 25.42 mm |
下降时间 | 60 ns |
上升时间 | 150 ns |
典型关闭延迟时间 | 112 ns |
典型接通延迟时间 | 40 ns |
单位重量 | 30 g |
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