会员年限
6年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
10+ | ¥16.76 |
30+ | ¥15.69 |
100+ | ¥14.58 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | Infineon |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | TO-252-3 |
通道数量 | 1 Channel |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Id-连续漏极电流 | 195 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 1.65 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 3.7 V |
Qg-栅极电荷 | 274 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 175 C |
Pd-功率耗散 | 375 W |
配置 | Single |
通道模式 | Enhancement |
高度 | 2.3 mm |
长度 | 6.5 mm |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
宽度 | 6.22 mm |
正向跨导 - 最小值 | 242 S |
下降时间 | 104 ns |
上升时间 | 141 ns |
典型关闭延迟时间 | 172 ns |
典型接通延迟时间 | 52 ns |
单位重量 | 4 g |