会员年限
6年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
10+ | ¥13 |
规格参数
商品详情
品牌 | ENDEZO/英德州 |
型号 | IRF7749L1TRPBF |
封装 | DIRECTFET L8 |
批号 | 最新年份 |
FET类型 | N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 60V |
漏极电流(Id) | 33A、200A |
漏源导通电阻(RDS On) | 1.5mOhm @ 120A、10V |
栅源电压(Vgs) | 4V @ 250μA |
栅极电荷(Qg) | 300nC @ 10V |
反向恢复时间 | 原厂标准 |
最大耗散功率 | 125W |
配置类型 | N通道/MOSFET |
工作温度范围 | -55°C ~ 175°C |
安装类型 | 表面安装 |
应用领域 | 家用电器,3C数码,智能家居,广电教育,照明电子,测量仪器,医疗电子,物联网IoT,汽车电子,新能源,网络通信 |
品牌 | IR/INFINEON |
型号 | IRF7749L1TRPBF |
封装 | DIRECTFET L8 |
批号 | 最新年份 |
FET类型 | N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 60V |
漏极电流(Id) | 33A、200A |
漏源导通电阻(RDS On) | 1.5mOhm @ 120A、10V |
栅源电压(Vgs) | 4V @ 250μA |
栅极电荷(Qg) | 300nC @ 10V |
反向恢复时间 | 原厂标准 |
最大耗散功率 | 3.3W, 125W |
配置类型 | N通道/MOSFET |
工作温度范围 | -55°C ~ 175°C |
安装类型 | 表面安装 |
应用领域 | 汽车电子,网络通信,医疗电子,测量仪器,智能家居,家用电器,照明电子,3C数码,广电教育,新能源,物联网IoT |