会员年限
1年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
1+ | ¥0.98 |
100+ | ¥0.88 |
1000+ | ¥0.78 |
0755-82739361 李
19865555788
13751043869
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | Vishay |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SO-8 |
晶体管极性 | N-Channel |
通道数量 | 2 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Id-连续漏极电流 | 5.3 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 58 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 1 V |
Qg-栅极电荷 | 13 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 3.1 W |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |
系列 | SI9 |
晶体管类型 | 2 N-Channel |
正向跨导 - 最小值 | 15 S |
下降时间 | 10 ns |
上升时间 | 15 ns, 65 ns |
典型关闭延迟时间 | 10 ns, 15 ns |
典型接通延迟时间 | 15 ns, 20 ns |
单位重量 | 187 mg |