图像仅供参考，请参阅产品规格书
场效应管 NDS355AN
型号
:
NDS355AN
品牌
:
ON
封装
:
SSOT-3
批号
:
2041
标准包装
:
--
| 数量 | 单价 |
|---|---|
| 1+ | ￥0.565 |
购买数量
：
x ￥0.565 = ￥0.565
库存
：
2970
预计发货日： 2025/06/03
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
规格参数
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | 是 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SSOT-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Id-连续漏极电流 | 1.7 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 85 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| Pd-功率耗散 | 500 mW (1/2 W) |
| 配置 | Single |
| 通道模式 | Enhancement |
| 高度 | 1.12 mm |
| 长度 | 2.9 mm |
| 系列 | NDS355AN |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 下降时间 | 32 ns |
| 上升时间 | 32 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns |
| 单位重量 | 30 mg |
数据手册 PDF
商品详情
