会员年限
6年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
1+ | ¥0.5 |
10+ | ¥0.45 |
100+ | ¥0.4 |
0755-88863886 林先生
0755-83010909 徐先生
13828829269
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | ON Semiconductor |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SSOT-3 |
通道数量 | 1 Channel |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Id-连续漏极电流 | 2.2 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 65 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | 8 V |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 500 mW (1/2 W) |
配置 | Single |
通道模式 | Enhancement |
高度 | 1.12 mm |
长度 | 2.9 mm |
系列 | FDN337N |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
宽度 | 1.4 mm |
正向跨导 - 最小值 | 13 S |
下降时间 | 10 ns |
上升时间 | 10 ns |
典型关闭延迟时间 | 17 ns |
典型接通延迟时间 | 4 ns |
单位重量 | 36 mg |