会员年限
4年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
100+ | ¥37.2 |
500+ | ¥33.2 |
2000+ | ¥27.2 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商: | Infineon |
种类: | MOSFET |
封装 / 箱体: | HSOF-8 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
Id-连续漏极电流: | 300 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 400 uOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 700 mV |
Qg-栅极电荷: | 122 nC |
工作温度: | - 55 C~ + 150 C |
Pd-功率耗散: | 300 W |
下降时间: | 37 ns |
正向跨导 - 最小值: | 160 S |
上升时间: | 17 ns |
单位重量: | 772.020 mg |