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5年
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真实性已核验
数量 | 单价 |
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1 个 起批+ | ¥7 |
规格参数
商品详情
品牌 | YBE |
型号 | IRF640N |
封装 | TO-220 |
批号 | 2020+ |
FET类型 | N 通道 |
漏源电压(Vdss) | 200V |
漏极电流(Id) | 18A |
漏源导通电阻(RDS On) | 10V |
栅源电压(Vgs) | ±20V |
栅极电荷(Qg) | 67nC @ 10V |
反向恢复时间 | 标准 |
最大耗散功率 | 150W |
配置类型 | 直插 |
工作温度范围 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
应用领域 | 3C数码 |