华晶CS9N90F A9RD    Silicon N-Channel Power MOSFET

一般描述：

CS9N90FA9RD，硅N通道增强VDMOSFET，是通过自自对齐平面技术获得的，它降低了导通损耗，提高了开关性能 增强雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路，用于系统小型化和更高的效率。 包装形式为TO-220F，符合RoHS 标准。

特点：

快速开关

低电阻(Rdson≤1.1Ω)

低门电荷(典型数据：57.9nC)

低反向传输电容(典型：11.3pF)

100%单脉冲雪崩能量 测试

应用：

适配器和充电器的电源开关电路。