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场效应管 IPB120N04S4-02
型号
:
IPB120N04S4-02
品牌
:
INFINEON
封装
:
TO-263
批号
:
2023+
标准包装
:
1000/盘
| 数量 | 单价 |
|---|---|
| 1+ | ￥12.23 |
| 50+ | ￥8.422 |
| 1000+ | ￥5.631 |
购买数量
：
x ￥12.23 = ￥12.23
库存
：
100000
预计发货日： 2025/04/18
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
规格参数
| 制造商 | Infineon |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | 是 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | TO-263-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1.58 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
| Qg-栅极电荷 | 134 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| Pd-功率耗散 | 158 W |
| 配置 | Single |
| 通道模式 | Enhancement |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 高度 | 4.4 mm |
| 长度 | 10 mm |
| 系列 | OptiMOS-T2 |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 宽度 | 9.25 mm |
| 下降时间 | 30 ns |
| 上升时间 | 16 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 典型接通延迟时间 | 27 ns |
| 单位重量 | 4 g |
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商品详情
