会员年限
2年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
100+ | ¥9 |
500+ | ¥8 |
1000+ | ¥7 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | Infineon |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | TSOP-6 |
晶体管极性 | N-Channel, P-Channel |
通道数量 | 2 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Id-连续漏极电流 | 1.5 A, 1.5 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 108 mOhms, 173 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | - 12 V, + 12 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 950 mV, 900 mV |
Qg-栅极电荷 | 73 pC, 3 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 500 mW |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |
下降时间 | 1.4 ns, 14 ns |
正向跨导 - 最小值 | 4 S, 4.5 S |
高度 | 1.1 mm |
长度 | 3 mm |
上升时间 | 7.6 ns, 9.7 ns |
晶体管类型 | 6.8 ns, 14.5 ns |
典型关闭延迟时间 | 4.1 ns, 6.7 ns |
典型接通延迟时间 | 1.5 mm |
宽度 | BSL215C H6327 SP001101000 |