会员年限
2年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
100+ | ¥9 |
500+ | ¥8 |
1000+ | ¥7 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | Infineon |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | TDSON-8 |
晶体管极性 | N-Channel |
通道数量 | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
Id-连续漏极电流 | 23 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 34 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
Qg-栅极电荷 | 9.1 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 32 W |
通道模式 | Enhancement |
系列 | OptiMOS 3 |
配置 | Single |
下降时间 | 2 ns |
正向跨导 - 最小值 | 8 S |
高度 | 1.27 mm |
长度 | 5.9 mm |
上升时间 | 3 ns |
晶体管类型 | 11 ns |
典型关闭延迟时间 | 8 ns |
典型接通延迟时间 | 5.15 mm |
宽度 | BSC340N08NS3 G SP000447534 |