会员年限
4年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
10+ | ¥12 |
100+ | ¥0.18 |
1000+ | ¥0.1 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | Infineon |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | DirectFET-L8 |
晶体管极性 | N-Channel |
通道数量 | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Id-连续漏极电流 | 200 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 1.1 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
Qg-栅极电荷 | 200 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 175 C |
Pd-功率耗散 | 125 W |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
下降时间 | 39 ns |
正向跨导 - 最小值 | 280 S |
高度 | 0.74 mm |
长度 | 9.15 mm |
上升时间 | 43 ns |
晶体管类型 | 78 ns |
典型关闭延迟时间 | 17 ns |
典型接通延迟时间 | 7.1 mm |
宽度 | IRF7749L1TRPBF SP001555556 |