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深圳市芯达创科技有限公司

主营产品:
DRAM Nand-flash EMMC EMCP LPDDR

资质已核查

真实性已核验

图像仅供参考,请参阅产品规格书
场效应管 IRFB3306GPBF
型号
:
IRFB3306GPBF
品牌
:
INFINEON
封装
:
TO-220
批号
:
23+
标准包装
:
1000/盘
数量 单价
1+ ¥10
购买数量
x ¥10 = ¥10
库存
20000
预计发货日: 2025/04/08

深圳市芯达创科技有限公司

所在地区
广东省 深圳市
座机

0755-23912451 阮先生

手机

13543322237

13682328460

QQ 咨询
地址
广东省深圳市福田区华强北街道海外装饰大厦B座7B33

规格参数

数据手册 PDF

规格参数

制造商 Infineon
产品种类 MOSFET
RoHS
安装风格 Through Hole
封装 / 箱体 TO-220-3
通道数量 1 Channel
晶体管极性 N-Channel
Vds-漏源极击穿电压 60 V
Id-连续漏极电流 160 A
Rds On-漏源导通电阻 3.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压 20 V
Qg-栅极电荷 85 nC
Pd-功率耗散 230 W
配置 Single
高度 15.65 mm
长度 10 mm
晶体管类型 1 N-Channel
宽度 4.4 mm
单位重量 6 g
品牌:
HYNIX
封装:
BGA78
¥0.6/PCS
品牌:
SK Hynix
封装:
FBGA96
¥13.3/PCS
品牌:
HYNIX
封装:
FBGA96
¥0.6/PCS
品牌:
HYNIX
封装:
FBGA94
¥0.6/PCS
品牌:
SK Hynix
封装:
FBGA96
¥0.6/PCS
品牌:
SAMSUNG
封装:
FBGA96
¥9.8/PCS