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STW9N150
型号
:
STW9N150
品牌
:
ST
封装
:
TO-247
批号
:
22+/23+
标准包装
:
--
数量 单价
1+ ¥3
10+ ¥2
1000+ ¥1
购买数量
x ¥3 = ¥3
库存
5000
预计发货日: 2025/04/15

深圳市安玛科技有限公司

所在地区
广东省 深圳市
手机

18928457255

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地址
深圳市福田区中航路鼎城大厦2706

规格参数

数据手册 PDF

商品详情

规格参数

制造商 STMicroelectronics
产品种类 MOSFET
RoHS
安装风格 Through Hole
封装 / 箱体 TO-247-3
通道数量 1 Channel
晶体管极性 N-Channel
Vds-漏源极击穿电压 1.5 kV
Id-连续漏极电流 8 A
Rds On-漏源导通电阻 2.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压 30 V
最小工作温度 - 55 C
最大工作温度 + 150 C
Pd-功率耗散 320 W
配置 Single
通道模式 Enhancement
高度 20.15 mm
长度 15.75 mm
系列 STW9N150
晶体管类型 1 N-Channel
宽度 5.15 mm
下降时间 52 ns
上升时间 14.7 ns
典型关闭延迟时间 86 ns
典型接通延迟时间 41 ns
单位重量 38 g

商品详情

品牌:
NEXPERIA(安世)
封装:
SOT23
¥0.005/PCS
品牌:
NEXPERIA/安世
封装:
SOIC-16
¥0.53/PCS
品牌:
on/安森美
封装:
SOT23
¥0.178/PCS
品牌:
on/安森美
封装:
SOT-23
¥0.5/PCS