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数量 | 单价 |
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1+ | ¥3 |
10+ | ¥2 |
1000+ | ¥1 |
规格参数
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商品详情
制造商 | STMicroelectronics |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | 是 |
安装风格 | Through Hole |
封装 / 箱体 | TO-247-3 |
通道数量 | 1 Channel |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 1.5 kV |
Id-连续漏极电流 | 8 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 2.5 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 320 W |
配置 | Single |
通道模式 | Enhancement |
高度 | 20.15 mm |
长度 | 15.75 mm |
系列 | STW9N150 |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
宽度 | 5.15 mm |
下降时间 | 52 ns |
上升时间 | 14.7 ns |
典型关闭延迟时间 | 86 ns |
典型接通延迟时间 | 41 ns |
单位重量 | 38 g |