会员年限
3年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
4+ | ¥3 |
0755-23944959 唐S
13332989786
18075503786
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | onsemi |
产品种类 | MOSFET |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SO-8FL-4 |
晶体管极性 | N-Channel |
通道数量 | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Id-连续漏极电流 | 235 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 1.1 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
Qg-栅极电荷 | 65 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 175 C |
Pd-功率耗散 | 128 W |
通道模式 | Enhancement |
资格 | AEC-Q101 |
配置 | Single |
下降时间 | 9 ns |
正向跨导 - 最小值 | 145 S |
上升时间 | 47 ns |
晶体管类型 | 36 ns |
典型关闭延迟时间 | 15 ns |
典型接通延迟时间 | 750 mg |
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