会员年限
6年
资质已核查
真实性已核验
数量 | 单价 |
---|---|
30+ | ¥17 |
300+ | ¥13.5 |
600+ | ¥12 |
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
制造商 | STMicroelectronics |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
RoHS | 是 |
技术 | Si |
封装 / 箱体 | TO-247 |
安装风格 | Through Hole |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 2.35 V |
栅极/发射极最大电压 | 20 V |
在25 C的连续集电极电流 | 80 A |
Pd-功率耗散 | 375 W |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 175 C |
系列 | STGW60V60DF |
封装 | Tube |
商标 | STMicroelectronics |
栅极—射极漏泄电流 | 250 nA |
产品类型 | IGBT Transistors |
工厂包装数量 | 600 |
子类别 | IGBTs |
单位重量 | 6.500 g |