深圳市雅维特电子有限公司
会员年限
5年
深圳市雅维特电子有限公司
主营产品：
TI ，MAXIM/美信 ，SKYWORKS/思佳讯 ，MURATA/村田 ，SAMSUNG/三星 ，EPCOS/爱普科斯 ，ON/安森美 ，NXP/恩智浦 ，AVAGO/安华高 ，NCE/新洁能
资质已核查
真实性已核验
图像仅供参考，请参阅产品规格书
场效应管 DN2540N8-G
型号
:
DN2540N8-G
品牌
:
MICROCHIP/微芯
封装
:
SOT89
批号
:
21+
标准包装
:
2000/盘
| 数量 | 单价 |
|---|---|
| 1+ | ￥4.999997 |
购买数量
：
x ￥4.999997 = ￥4.999997
库存
：
20000
预计发货日： 2025/04/18
规格参数
数据手册 PDF
商品详情
规格参数
| 制造商 | Microchip |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | 是 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOT-89-3 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 通道数量 | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 400 V |
| Id-连续漏极电流 | 170 mA |
| Rds On-漏源导通电阻 | 25 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压 | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3.5 V |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| Pd-功率耗散 | 1.6 W |
| 通道模式 | Depletion |
| 配置 | Single |
| 下降时间 | 20 ns |
| 高度 | 1.6 mm |
| 长度 | 4.6 mm |
| 上升时间 | 15 ns |
| 晶体管类型 | FET |
| 宽度 | 52.800 mg |
数据手册 PDF
商品详情
N沟道 漏源电压(Vdss)：400V 连续漏极电流(Id)：170mA 功率(Pd)：1.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25Ω@0V,120mA
